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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：SQJ844AEP-T1_GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SQJ844AEP-T1_GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：8A

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：16.6 毫歐 @ 7.6A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：26nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1161pF @ 15V

功率-最大值：48W

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：PowerPAK? SO-8 雙

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