深圳市南皇電子有限公司長期提供SISS60DN-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號：SISS60DN-T1-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列：TrenchFET? Gen IV零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：50.1A（Ta），181.8A（Tc）驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.31 毫歐 @ 20A，10V不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：85.5nC @ 10VVgs（最大值）：+16V，-12V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：3960pF @ 15VFET功能：肖特基二極管（體）功率耗散（最大值）：5.1W (Ta)，65.8W (Tc)工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PowerPAK? 1212-8SSISS60DN-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
