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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：SQJ456EP-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號：SQJ456EP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：32A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：26 毫歐 @ 9.3A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：63nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：3342pF @ 25V

功率 - 最大值：83W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK SO-8

供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK SO-8

SQJ456EP-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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