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      圖片信息
      SI5935DC-T1-GE3圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:SI5935DC-T1-GE3
    4. 原始制造廠商:Vishay,威世
    5. 技術標準參數(shù):MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
    6. 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產品型號:SI5935DC-T1-GE3
    11. 制造商:Vishay Siliconix
    12. 描述:MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    14. 產品系列:TrenchFET?
    15. 零件狀態(tài):停產
    16. FET類型:2 個 P 溝道(雙)
    17. FET功能:邏輯電平門
    18. 漏源電壓(Vdss):20V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):3A
    20. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):86 毫歐 @ 3A,4.5V
    21. 不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
    22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):8.5nC @ 4.5V
    23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
    24. 功率-最大值:1.1W
    25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    26. 安裝類型:表面貼裝型
    27. 封裝:8-SMD,扁平引線
    28. SI5935DC-T1-GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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