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      圖片信息
      IPD60R450E6圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:IPD60R450E6
    4. 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
    5. 技術標準參數(shù):MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
    6. 產(chǎn)品應用分類:單端場效應管
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. Infineon英飛凌公司完整型號:IPD60R450E6
    11. 制造廠家名稱:Infineon Technologies
    12. 描述:MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
    13. 系列:CoolMOS?
    14. FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    15. FET 功能:標準
    16. 漏源極電壓 (Vdss):600V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):9.2A(Tc)
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):450 毫歐 @ 3.4A,10V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 280μA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):28nC @ 10V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):620pF @ 100V
    22. 功率 - 最大值:74W
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    25. 供應商器件封裝:PG-TO252-3
    26. IPD60R450E6均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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