深圳市南皇電子有限公司長期提供FF200R12KT3EHOSA1（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：FF200R12KT3EHOSA1

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT MODULE 1200V 1050W

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - IGBT - 模塊

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：FF200R12KT3EHOSA1

制造商：Infineon Technologies

描述：IGBT MODULE 1200V 1050W

系列：晶體管 - IGBT - 模塊

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：-

配置：2 個獨立式

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：-

功率-最大值：1050W

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，200A

電流-集電極截止（最大值）：5mA

不同?Vce時輸入電容(Cies)：14nF @ 25V

輸入：標準

NTC熱敏電阻：無

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：底座安裝

封裝：模塊

FF200R12KT3EHOSA1均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Infineon

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