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東芝將與全球最大的內存卡廠商美國閃迪聯(lián)手在日本三重縣新建數碼家電存儲媒體使用的半導體存儲器的最尖端工廠。計劃最早將于2014年度啟動量產，投資額為4千億日元(約合人民幣252億元)。這是東芝時隔約2年再次進行增產投資。屆時，產能將提高2成。在日本半導體產業(yè)不斷萎縮的背景下，東芝希望借此來提高競爭力，追趕該領域排名第1的韓國三星電子。
目前，東芝通過與閃迪的合資公司生產NAND型閃存。新工廠將在合資公司運營的日本三重縣四日市市的廠區(qū)內建設。東芝與閃迪各出資50%，東芝將承擔2千億日元(約合人民幣126億元)左右。目前的產能按直徑300毫米的晶圓計算，估計每月為45萬片，而新工廠投產后產能每月可增加10萬余片。
在日本的半導體業(yè)界，瑞薩電子決定關閉系統(tǒng)LSI(大規(guī)模集成電路)的最尖端工廠。爾必達存儲器則打算在美國大型半導體廠商美光科技旗下實現(xiàn)重建。
在日本同行業(yè)不斷萎縮的背景下，東芝在NAND型閃存的全球份額方面卻僅次于三星屈居第二。據美國環(huán)球透視公司(IHS Global)調查，2012年按供貨量計算，三星的份額為37%，東芝為31%。東芝希望通過大規(guī)模投資來縮小與三星的差距。
東芝計劃利用新工廠的生產線量產線寬在16~17納米的產品，而目前的產品線寬為19納米。通過縮小線寬，可增加每片硅晶圓生產的半導體個數、提高生產效率，從而在價格競爭方面與超過三星。
另一方面，預計三星也最早將于2014年量產把幾個芯片重疊在一起的尖端產品。由于三星和東芝分別投入最新技術，推進半導體的小型化和生產的高效化，因此，今后半導體競爭將進入新的階段。
受08年雷曼危機影響，NAND型閃存需求曾大幅下滑，價格與個人電腦用的DRAM同時下跌。東芝去年夏季決定減產3成。不過，眼下得益于智能手機和平板終端的普及，行情開始復蘇。東芝方面，來自美國蘋果和中國企業(yè)的訂單增多。再加上日元趨于貶值，從今年春季開始東芝的工廠一直處于滿負荷開工狀態(tài)。
因此，東芝決定投資200億-300億日元(約合人民幣12.6-18.9元)，在四日市工廠的現(xiàn)有廠房內新增生產設備。東芝認為從中期來看市場將繼續(xù)增長，因此決定實施投資。東芝打算在2015年度之前分階段進行投資，如果行情出現(xiàn)惡化則將延長投資期限。