鎧俠 (Kioxia，原東芝半導體Toshiba)今天宣布推出新一代256GB和512GB UFS 3.1版嵌入式閃存設(shè)備的樣品。新產(chǎn)品封裝高度分別為0.8和1.0毫米，隨機讀取性能提高約30%，隨機寫入性能提高約40%[1]，相比前代產(chǎn)品更薄[2]、速度更快。鎧俠的新型UFS設(shè)備采用該公司的第五代BiCS FLASH™ 3D高性能閃存，面向包括高端智能手機在內(nèi)的各種移動應(yīng)用。
很多采用嵌入式閃存的應(yīng)用中，除了對功耗和空間敏感之外，仍然需要更高的性能和存儲密度，因此，UFS逐漸成為首選解決方案。從總?cè)萘康慕嵌葋砜�，與e-MMC相比，UFS占絕大部分的需求。據(jù)Forward Insights[3]的調(diào)查結(jié)果顯示，在全球UFS和e-MMC GB的總體需求中，今年UFS的需求量幾乎達到了70%，而且這一數(shù)字還將繼續(xù)增長。
新的UFS 256GB和512GB設(shè)備包括以下改進：
隨機讀取性能增加約30%，隨機寫入性能增加約40%。
Host Performance Booster(HPB)2.0版：利用主機端內(nèi)存存儲部分邏輯物理轉(zhuǎn)換表，從而提高隨機讀取性能。HPB 1.0版只支持4KB大小地址塊的訪問，而HPB 2.0版支持更大范圍的訪問，可進一步提高隨機讀取性能。
更薄的封裝，256GB高度僅為0.8毫米。
注
[1] 與鎧俠上一代256/512GB UFS相比。
[2] 在256GB存儲密度條件下，與鎧俠上一代256GB UFS相比。
[3] Forward Insights “NAND Quarterly Insights” 第二季度（2021年）
讀寫速度可能因主機設(shè)備、讀寫條件和文件大小而有所不同。
在提及鎧俠產(chǎn)品時：產(chǎn)品密度是根據(jù)產(chǎn)品內(nèi)存芯片的密度來確定的，而非最終用戶可用于數(shù)據(jù)存儲的內(nèi)存容量。由于存在開銷數(shù)據(jù)區(qū)域、格式化信息、壞塊和其他限制條件，用戶可用容量將會減少，并且還可能因主機設(shè)備和應(yīng)用程序而有所不同。詳細信息請參閱適用的產(chǎn)品規(guī)格說明。1KB=2^10字節(jié)=1,024字節(jié)。1Gb=2^30比特=1,073,741,824比特。1GB=2^30字節(jié)=1,073,741,824字節(jié)。1Tb=2^40比特=1,099,511,627,776比特。
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