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GeneSiC宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的3300V和1700V分立SiC MOSFET，這些MOSFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化可實(shí)現(xiàn)無(wú)與倫比的小型化, 工業(yè)家政電源的可靠性和節(jié)能.

GeneSiC半導(dǎo)體, 碳化硅綜合產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商 (碳化硅) 功率半導(dǎo)體, 今天宣布推出下一代3300V和1700V1000mΩSiC MOSFET – G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, 和G2R1000MT33J. 這些SiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)卓越的性能水平, 基于旗艦功績(jī)指標(biāo) (FoM) 增強(qiáng)和簡(jiǎn)化跨儲(chǔ)能系統(tǒng)的電力系統(tǒng), 再生能源, 工業(yè)馬達(dá), 通用逆變器和工業(yè)照明. 發(fā)布的產(chǎn)品有:

G2R1000MT33J – 3300V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D – 1700V1000mΩTO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J – 1700V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D – 1700V450mΩTO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J – 1700V450mΩTO-263-7 SiC MOSFET

GeneSiC的新型3300V和1700V SiC MOSFET, 提供1000mΩ和450mΩ選項(xiàng)的SMD和通孔分立封裝, 針對(duì)要求提高效率水平和超快開(kāi)關(guān)速度的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)進(jìn)行了高度優(yōu)化. 與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比，這些設(shè)備具有更好的性能水平. 有保證的質(zhì)量, 快速周轉(zhuǎn)的大批量制造的支持進(jìn)一步增強(qiáng)了其價(jià)值主張.

“在1500V太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用中, 輔助電源中的MOSFET可能必須承受2500V的電壓, 取決于輸入電壓, 變壓器匝數(shù)比與輸出電壓. 高擊穿電壓MOSFET消除了反激式中串聯(lián)開(kāi)關(guān)的需求, 升壓和正激轉(zhuǎn)換器，從而減少了零件數(shù)量并降低了電路復(fù)雜度. GeneSiC的3300V和1700V分立SiC MOSFET允許設(shè)計(jì)人員使用更簡(jiǎn)單的基于單開(kāi)關(guān)的拓?fù)�，同時(shí)為客戶(hù)提供可靠的, 緊湊而經(jīng)濟(jì)的系統(tǒng)” 蘇米特·賈達(dá)夫（Sumit Jadav）說(shuō), GeneSiC Semiconductor高級(jí)應(yīng)用經(jīng)理.

特征 –

優(yōu)越的性?xún)r(jià)比指數(shù)

旗艦QG 設(shè)DS(上) 品質(zhì)因數(shù)

低固有電容和低柵極電荷

在所有溫度下?lián)p耗低

高雪崩和短路強(qiáng)度

基準(zhǔn)閾值電壓，可在高達(dá)175°C的常態(tài)下穩(wěn)定運(yùn)行

應(yīng)用領(lǐng)域 –

可再生能源 (太陽(yáng)能逆變器) 和儲(chǔ)能

工業(yè)馬達(dá) (和債券)

通用變頻器

工業(yè)照明

壓電驅(qū)動(dòng)器

離子束發(fā)生器

所有設(shè)備均可通過(guò)授權(quán)GeneSiC代理商購(gòu)買(mǎi)