GSI Technology推出新型 SRAM 具有多種密度、封裝和設計選項
GSI Technology 的 SRAM 具有多種密度、封裝和設計選項。
GSI 技術同步突發(fā) SRAM 圖片GSI Technology 的 NBT SRAM 一直是中端數據采集設計的主力軍，已有 15 多年的歷史，并且可以提供各種密度、封裝和設計選項。這些 SRAM 還帶有長期存儲 IC 支持計劃。
SyncBurst SRAM 可針對單個時鐘信號提供 2 到 4 個字的“突發(fā)”響應。SyncBurst SRAM 適合需要中端性能點（通常為 333 MHz 至 166 MHz 時鐘速率）的網絡、工業(yè)、汽車和醫(yī)學成像應用。
特性
FT 引腳，用于用戶可配置的直通或管道操作
雙周期取消選擇 (DCD) 操作
2.5 V 或 3.3 V ±10% 內核電源
2.5 V 或 3.3 V I/O 電源
LBO 引腳用于線性或交錯猝發(fā)模式
模式引腳上的內部輸入電阻器允許浮動模式引腳
默認為交錯流水線模式
字節(jié)寫入 (BW) 和/或全局寫入 (GW) 操作
內部自定時寫周期
便攜式應用自動斷電
符合 RoHS 要求的 100 引線 TQFP 以及 119 和 165 焊球 BGA 封裝
有關樣品、詳細規(guī)格、價格和交貨報價及更多信息，請聯系當地的GSI代理商進行詢問。
更多IC電子元器件制造商行業(yè)動態(tài)（2025年7月1日更新）
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