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Adesto Technologies 的 DataFlash "E" 系列是全新系列非易失性存儲器器件，具有較低的功率要求和智能特性，系統(tǒng)效率更高、成本更低。DataFlash E 系列具有多種特性和選項(xiàng)，包括多種行業(yè)第一的特性，如寬 VCC 電壓和“超深度省電”模式。E 系列產(chǎn)品還包括全新的“智能”特性，從而提高了如高效“字節(jié)寫”之類系統(tǒng)性能，不需要大塊擦除和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的“擦除-編程-掛起-恢復(fù)”指令。

采用 Adesto 的 E 系列器件后，編程器可發(fā)一個單軟件指令即可擦除/寫入。這與標(biāo)準(zhǔn)串行閃存產(chǎn)品不同，后者需要 4 Kb 的塊擦除。這意味著減少了主機(jī)控制器對存儲器進(jìn)行管理的需要，釋放出資源用于為更高優(yōu)先級操作。較少的存儲器管理同時還意味著控制器的 SRAM 中的軟件占用空間更小，這樣給設(shè)計(jì)師帶來了靈活性，可使用更小的微控制器，或放棄外部 SRAM。

該 E 系列產(chǎn)品具有最大節(jié)能效果，通過簡單的軟件指令即可進(jìn)入超深度省電模式。E 系列所提供的省電模式僅消耗納安級的電流，能效優(yōu)于其它競爭產(chǎn)品一個數(shù)量級以上。省電模式的軟件控制能夠讓設(shè)計(jì)師免除使用額外的硬件元件，如低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 或氮化鎵晶體管。

對于移動或電池供電的設(shè)備，DataFlash E 系列不經(jīng)調(diào)壓即可運(yùn)行，從而最大限度地提升從 1.65 V 至 3.6 V 不間斷的電池壽命。相對標(biāo)準(zhǔn) VCC 零件，擴(kuò)展電壓范圍能夠延長電池壽命高達(dá) 1000%，同時削減了低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 的成本。

對于在更小、更慢型 MCU/CPU 上運(yùn)行且在高 MHz 范圍內(nèi)運(yùn)行的應(yīng)用，DataFlash 現(xiàn)在支持低功耗讀指令，在時鐘頻率低于 10 MHz 時，通常比標(biāo)準(zhǔn)讀命令可節(jié)省 20% 的電力。

E 系列包括各種存儲密度，非常適合數(shù)字語音、圖像、程序代碼、數(shù)據(jù)存儲和其它存儲器應(yīng)用。