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      圖片信息
      NXPSC16650B6J圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:NXPSC16650B6J
    4. 原始制造廠商:WeEn,瑞能半導體
    5. 技術標準參數(shù):SILICON CARBIDE POWER DIODE
    6. 產(chǎn)品應用分類:二極管 - 整流器 - 單
    7. 點擊此處下載NXPSC16650B6J的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:NXPSC16650B6J
    11. 制造商:WeEn Semiconductors
    12. 描述:SILICON CARBIDE POWER DIODE
    13. 系列:二極管 - 整流器 - 單
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. 二極管類型:碳化硅肖特基
    17. 電壓-DC反向(Vr)(最大值):650V
    18. 電流-平均整流(Io):16A
    19. 不同If時電壓-正向(Vf):1.7V @ 16A
    20. 速度:無恢復時間 > 500mA(Io)
    21. 反向恢復時間(trr):0ns
    22. 不同Vr時電流-反向泄漏:100μA @ 650V
    23. 不同?Vr、F時電容:534pF @ 1V,1MHz
    24. 安裝類型:表面貼裝型
    25. 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
    26. 供應商器件封裝:D2PAK
    27. NXPSC16650B6J均從WeEn代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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