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      圖片信息
      SQS423EN-T1_GE3圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號(hào):SQS423EN-T1_GE3
    4. 原始制造廠商:Vishay,威世
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
    7. 點(diǎn)擊此處下載SQS423EN-T1_GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
    8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號(hào):SQS423EN-T1_GE3
    11. 制造商:Vishay Siliconix
    12. 描述:MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
    14. 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. FET類型:P 通道
    17. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
    18. 漏源電壓(Vdss):30V
    19. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):16A(Tc)
    20. 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
    21. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):21 毫歐 @ 12A,10V
    22. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
    23. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):26nC @ 4.5V
    24. Vgs(最大值):±20V
    25. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1975pF @ 15V
    26. FET功能:-
    27. 功率耗散(最大值):62.5W(Tc)
    28. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
    29. 安裝類型:表面貼裝型
    30. 器件封裝:PowerPAK? 1212-8
    31. SQS423EN-T1_GE3均從Vishay代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    32. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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