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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：SQJB00EP-T1_GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：SQJB00EP-T1_GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：30A（Tc）

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：13 毫歐 @ 10A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 10V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1700pF @ 25V

功率-最大值：48W

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：PowerPAK? SO-8 雙

SQJB00EP-T1_GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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