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      圖片信息
      SQJ461EP-T1-GE3圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:SQJ461EP-T1-GE3
    4. 原始制造廠商:Vishay,威世
    5. 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET P-CH 60V 30A SO-8
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單端場效應(yīng)管
    7. 點擊此處下載SQJ461EP-T1-GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SQJ461EP-T1-GE3
    11. 制造商:Vishay Siliconix
    12. 描述:MOSFET P-CH 60V 30A SO-8
    13. 系列:TrenchFET
    14. FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    15. FET 功能:邏輯電平門
    16. 漏源極電壓 (Vdss):60V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):30A(Tc)
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):16 毫歐 @ 14.4A,10V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):140nC @ 10V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4710pF @ 30V
    22. 功率 - 最大值:83W
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 封裝/外殼:PowerPAK SO-8
    25. 供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SO-8
    26. SQJ461EP-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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