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      圖片信息
      SIZ988DT-T1-GE3圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:SIZ988DT-T1-GE3
    4. 原始制造廠商:Vishay,威世
    5. 技術標準參數(shù):MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    7. 點擊此處下載SIZ988DT-T1-GE3的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:SIZ988DT-T1-GE3
    11. 制造商:Vishay Siliconix
    12. 描述:MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    14. 產(chǎn)品系列:TrenchFET?
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. FET類型:2 N-通道(雙)
    17. FET功能:標準
    18. 漏源電壓(Vdss):30V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):40A(Tc),60A(Tc)
    20. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):7.5 毫歐 @ 10A,10V,4.1 毫歐 @ 19A,10V
    21. 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA,2.2V @ 250μA
    22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):10.5nC @ 4.5V,23.1nC @ 4.5V
    23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1000pF @ 15V,2425pF @ 15V
    24. 功率-最大值:20.2W,40W
    25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    26. 安裝類型:表面貼裝型
    27. 封裝:8-PowerWDFN
    28. SIZ988DT-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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