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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SISS12DN-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SISS12DN-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：TrenchFET? Gen IV

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：37.5A（Ta），60A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.98 毫歐 @ 10A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：89nC @ 10V

Vgs（最大值）：+20V，-16V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4270pF @ 20V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：5W（Ta），65.7W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）

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