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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：SIR606BDP-T1-RE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SIR606BDP-T1-RE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：TrenchFET? Gen IV

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：10.9A（Ta），38.7A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：7.5V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：17.4 毫歐 @ 10A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1470pF @ 50V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：5W（Ta），62.5W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? SO-8

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