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      圖片信息
      SIF912EDZ-T1-E3圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:SIF912EDZ-T1-E3
    4. 原始制造廠商:Vishay,威世
    5. 技術標準參數(shù):MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:SIF912EDZ-T1-E3
    11. 制造商:Vishay Siliconix
    12. 描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    14. 產(chǎn)品系列:TrenchFET?
    15. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    16. FET類型:2 N 溝道(雙)共漏
    17. FET功能:邏輯電平門
    18. 漏源電壓(Vdss):30V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):7.4A
    20. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):19 毫歐 @ 7.4A,4.5V
    21. 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
    22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):15nC @ 4.5V
    23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
    24. 功率-最大值:1.6W
    25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    26. 安裝類型:表面貼裝型
    27. 封裝:PowerPAK? 2x5
    28. SIF912EDZ-T1-E3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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