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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SIB800EDK-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SIB800EDK-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：LITTLE FOOT?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：1.5A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：225 毫歐 @ 1.6A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.7nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±6V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：肖特基二極管（隔離式）

功率耗散（最大值）：1.1W（Ta），3.1W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? SC-75-6L 單

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