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圖片信息
SIA907EDJ-T1-GE3圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:SIA907EDJ-T1-GE3
  • 原始制造廠商:Vishay,威世
  • 技術標準參數:MOSFET N-CH 30V SMD
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:SIA907EDJ-T1-GE3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET N-CH 30V SMD
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產
  • FET類型:-
  • FET功能:-
  • 漏源電壓(Vdss):-
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):-
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):-
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
  • 功率-最大值:-
  • 工作溫度:-
  • 安裝類型:-
  • 封裝:-
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