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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SIA533EDJ-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術標準參數：MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳解：

制造商產品型號：SIA533EDJ-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：TrenchFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 和 P 溝道

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：12V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：4.5A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：34 毫歐 @ 4.6A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：420pF @ 6V

功率-最大值：7.8W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙

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