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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SI7997DP-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術標準參數(shù)：MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數(shù)詳解：

制造商產品型號：SI7997DP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：TrenchFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 個 P 溝道（雙）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：60A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：5.5 毫歐 @ 20A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：160nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：6200pF @ 15V

功率-最大值：46W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：PowerPAK? SO-8 雙

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