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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：SI6473DQ-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SI6473DQ-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：TrenchFET?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：6.2A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：12.5 毫歐 @ 9.5A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250μA（最小）

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：70nC @ 5V

Vgs（最大值）：±8V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.08W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-TSSOP

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