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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：SI4900DY-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SI4900DY-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：TrenchFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：5.3A

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：58 毫歐 @ 4.3A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：665pF @ 15V

功率-最大值：3.1W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

SI4900DY-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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