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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SI3473CDV-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術標準參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數(shù)詳解：

制造商產品型號：SI3473CDV-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：TrenchFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：12V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：8A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：22 毫歐 @ 8.1A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：65nC @ 8V

Vgs（最大值）：±8V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2010pF @ 6V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2W（Ta），4.2W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：6-TSOP

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