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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
SI3433BDV-T1-E3圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:SI3433BDV-T1-E3
  • 原始制造廠商:Vishay,威世
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載SI3433BDV-T1-E3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:SI3433BDV-T1-E3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:TrenchFET?
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:P 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):20V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):4.3A(Ta)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):42 毫歐 @ 5.6A,4.5V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):850mV @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):18nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.1W(Ta)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:6-TSOP
  • SI3433BDV-T1-E3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    Vishay產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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    深圳市南皇電子有限公司 - SI3433BDV-T1-E3 - Vishay公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

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