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      圖片信息
      2N6660-E3圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:2N6660-E3
    4. 原始制造廠商:Vishay,威世
    5. 技術標準參數(shù):MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:2N6660-E3
    11. 制造商:Vishay Siliconix
    12. 描述:MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    16. FET類型:N 通道
    17. 技術:MOSFET(金屬氧化物)
    18. 漏源電壓(Vdss):60V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):990mA(Tc)
    20. 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V
    21. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):3 歐姆 @ 1A,10V
    22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
    23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
    24. Vgs(最大值):±20V
    25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V
    26. FET功能:-
    27. 功率耗散(最大值):725mW(Ta),6.25W(Tc)
    28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    29. 安裝類型:通孔
    30. 器件封裝:TO-205AD(TO-39)
    31. 2N6660-E3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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