深圳市南皇電子有限公司長期提供TPN4R712MD,L1Q（品牌: Toshiba）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
技術參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號：TPN4R712MD,L1Q制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：U-MOSVI零件狀態(tài)：有源FET類型：P 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：20V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：36A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.7 毫歐 @ 18A，4.5V不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：65nC @ 5VVgs（最大值）：±12V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4300pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：42W（Tc）工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：8-TSON Advance（3.3x3.3）TPN4R712MD,L1Q均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
