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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：TPC8123(TE12L,Q,M)

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管

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技術(shù)參數(shù)詳解：

東芝半導(dǎo)體公司完整型號：TPC8123(TE12L,Q,M)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：11A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：9 毫歐 @ 5.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 500μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：68nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2940pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）

TPC8123(TE12L,Q,M)均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Toshiba

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