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      圖片信息
      TPC8012-H(TE12L,Q)圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:TPC8012-H(TE12L,Q)
    4. 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
    5. 技術標準參數:MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
    6. 產品應用分類:單端場效應管
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    9. 技術參數詳解:
    10. 東芝半導體公司完整型號:TPC8012-H(TE12L,Q)
    11. 制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
    12. 描述:MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
    13. 系列:-
    14. FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    15. FET 功能:標準
    16. 漏源極電壓 (Vdss):200V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1.8A(Ta)
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):400 毫歐 @ 900mA,10V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):11nC @ 10V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):440pF @ 10V
    22. 功率 - 最大值:-
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
    25. 供應商器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)
    26. TPC8012-H(TE12L,Q)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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