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      圖片信息
      TC58BYG2S0HBAI6圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:TC58BYG2S0HBAI6
    4. 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
    5. 技術標準參數(shù):EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67VFBGA
    6. 產(chǎn)品應用分類:存儲器
    7. 點擊此處下載TC58BYG2S0HBAI6的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 東芝半導體公司完整型號: TC58BYG2S0HBAI6
    11. 制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage
    12. 功能總體簡述: EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67VFBGA
    13. 系列: Benand
    14. 格式 - 存儲器: EEPROMs - 串行
    15. 存儲器類型: EEPROM - NAND
    16. 存儲容量: 4G(512M x 8)
    17. 速度: 25ns
    18. 接口: 并聯(lián)
    19. 電壓 - 電源: 1.7 V ~ 1.95 V
    20. 工作溫度: -40°C ~ 85°C
    21. 封裝/外殼: 67-VFBGA
    22. 供應商器件封裝: 67-VFBGA(6.5x8)
    23. TC58BYG2S0HBAI6均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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