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      圖片信息
      SSM6N7002FUTE85LF圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:SSM6N7002FUTE85LF
    4. 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:場效應(yīng)管陣列
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 東芝半導(dǎo)體公司完整型號:SSM6N7002FUTE85LF
    11. 制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
    12. 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
    13. 系列:-
    14. FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
    15. FET 功能:邏輯電平門
    16. 漏源極電壓 (Vdss):60V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):200mA
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3 歐姆 @ 500mA,10V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):-
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):17pF @ 25V
    22. 功率 - 最大值:300mW
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
    25. 供應(yīng)商器件封裝:US6
    26. SSM6N7002FUTE85LF均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    27. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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