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圖片信息
SSM6N7002FUTE85LF圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:SSM6N7002FUTE85LF
  • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
  • 技術標準參數(shù):MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
  • 產(chǎn)品應用分類:場效應管陣列
  • 點擊此處下載SSM6N7002FUTE85LF的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 東芝半導體公司完整型號:SSM6N7002FUTE85LF
  • 制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
  • 系列:-
  • FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):200mA
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3 歐姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):-
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):17pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:300mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應商器件封裝:US6
  • SSM6N7002FUTE85LF均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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