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      圖片信息
      SSM3J129TU(TE85L)圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號(hào):SSM3J129TU(TE85L)
    4. 原始制造廠(chǎng)商:Toshiba,東芝半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
    7. 點(diǎn)擊此處下載SSM3J129TU(TE85L)的原廠(chǎng)技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號(hào):SSM3J129TU(TE85L)
    11. 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
    12. 描述:MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
    14. 產(chǎn)品系列:U-MOSV
    15. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    16. FET類(lèi)型:P 通道
    17. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
    18. 漏源電壓(Vdss):20V
    19. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):4.6A(Ta)
    20. 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.5V,4.5V
    21. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):46 毫歐 @ 3A,4.5V
    22. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
    23. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):8.1nC @ 4.5V
    24. Vgs(最大值):±8V
    25. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):640pF @ 10V
    26. FET功能:-
    27. 功率耗散(最大值):500mW(Ta)
    28. 工作溫度:150°C(TJ)
    29. 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
    30. 器件封裝:UFM
    31. SSM3J129TU(TE85L)均從Toshiba代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    32. 時(shí)刻努力成為您值得信賴(lài)的IC供應(yīng)商
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