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      圖片信息
      SSM3J112TU(TE85L)圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:SSM3J112TU(TE85L)
    4. 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
    5. 技術標準參數(shù):MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
    6. 產(chǎn)品應用分類:單端場效應管
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 東芝半導體公司完整型號:SSM3J112TU(TE85L)
    11. 制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
    12. 描述:MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
    13. 系列:-
    14. FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    15. FET 功能:邏輯電平門
    16. 漏源極電壓 (Vdss):30V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1.1A(Ta)
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):390 毫歐 @ 500mA,10V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 100μA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):-
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):86pF @ 15V
    22. 功率 - 最大值:500mW
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線
    25. 供應商器件封裝:UFM
    26. SSM3J112TU(TE85L)均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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