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圖片信息
RN2109MFV,L3F圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:RN2109MFV,L3F
  • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標準參數(shù):TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置
  • 點擊此處下載RN2109MFV,L3F的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:RN2109MFV,L3F
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
  • 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置
  • 零件狀態(tài):有源
  • 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器-基極(R1):47 kOhms
  • 電阻器-發(fā)射極(R2):22 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V
  • 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 250μA,5mA
  • 電流-集電極截止(最大值):500nA
  • 頻率-躍遷:-
  • 功率-最大值:150mW
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:SOT-723
  • RN2109MFV,L3F均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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