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      圖片信息
      RN1130MFV(TL3,T)圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:RN1130MFV(TL3,T)
    4. 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單路﹐預(yù)偏壓式晶體管
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 東芝半導(dǎo)體公司完整型號:RN1130MFV(TL3,T)
    11. 制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
    12. 描述:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
    13. 系列:-
    14. 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓
    15. 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA
    16. 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
    17. 電阻器 - 基底 (R1) (Ω):100k
    18. 電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω):100k
    19. 不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V
    20. 不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,5mA
    21. 電流 - 集電極截止(最大值):500nA
    22. 頻率 - 躍遷:250MHz
    23. 功率 - 最大值:150mW
    24. 安裝類型:表面貼裝
    25. 封裝/外殼:SOT-723
    26. 供應(yīng)商器件封裝:VESM
    27. RN1130MFV(TL3,T)均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    28. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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