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      圖片信息
      RN1110MFV,L3F圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:RN1110MFV,L3F
    4. 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
    5. 技術標準參數(shù):TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置
    7. 點擊此處下載RN1110MFV,L3F的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:RN1110MFV,L3F
    11. 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
    12. 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
    13. 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置
    14. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    15. 晶體管類型:NPN - 預偏壓
    16. 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
    18. 電阻器-基極(R1):4.7 kOhms
    19. 電阻器-發(fā)射極(R2):-
    20. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,5V
    21. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 500μA,5mA
    22. 電流-集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
    23. 頻率-躍遷:-
    24. 功率-最大值:150mW
    25. 安裝類型:表面貼裝型
    26. 封裝:SOT-723
    27. RN1110MFV,L3F均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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