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      圖片信息
      MT3S111TU,LF圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:MT3S111TU,LF
    4. 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
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    8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:MT3S111TU,LF
    11. 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
    12. 描述:RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
    13. 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
    14. 零件狀態(tài):有源
    15. 晶體管類型:NPN
    16. 電壓-集射極擊穿(最大值):6V
    17. 頻率-躍遷:10GHz
    18. 噪聲系數(shù)(dB,不同f時的典型值):0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
    19. 增益:12.5dB
    20. 功率-最大值:800mW
    21. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):200 @ 30mA,5V
    22. 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
    23. 工作溫度:150°C(TJ)
    24. 安裝類型:表面貼裝型
    25. 封裝:3-SMD,扁平引線
    26. MT3S111TU,LF均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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