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      圖片信息
      HN3C10FUTE85LF圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:HN3C10FUTE85LF
    4. 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
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    8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:HN3C10FUTE85LF
    11. 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
    12. 描述:RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
    13. 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
    14. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    15. 晶體管類型:2 NPN(雙)
    16. 電壓-集射極擊穿(最大值):12V
    17. 頻率-躍遷:7GHz
    18. 噪聲系數(shù)(dB,不同f時的典型值):1.1dB @ 1GHz
    19. 增益:11.5dB
    20. 功率-最大值:200mW
    21. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):80 @ 20mA,10V
    22. 電流-集電極(Ic)(最大值):80mA
    23. 工作溫度:-
    24. 安裝類型:表面貼裝型
    25. 封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
    26. HN3C10FUTE85LF均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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