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      圖片信息
      CMZB18(TE12L,Q)圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:CMZB18(TE12L,Q)
    4. 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
    5. 技術標準參數(shù):DIODE ZENER 18V 1W MFLAT
    6. 產品應用分類:單齊納二極管
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 東芝半導體公司完整型號:CMZB18(TE12L,Q)
    11. 制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
    12. 描述:DIODE ZENER 18V 1W MFLAT
    13. 系列:-
    14. 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V
    15. 容差:±10%
    16. 功率 - 最大值:1W
    17. 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆
    18. 不同 Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 13V
    19. 不同 If 時的電壓 - 正向 (Vf):1.2V @ 200mA
    20. 工作溫度:-40°C ~ 150°C
    21. 安裝類型:表面貼裝
    22. 封裝/外殼:SOD-128
    23. 供應商器件封裝:M-FLAT(2.4x3.8)
    24. CMZB18(TE12L,Q)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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