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      圖片信息
      2SK3767(Q,M)圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:2SK3767(Q,M)
    4. 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
    5. 技術標準參數:MOSFET N-CH 600V 2A TO-220SIS
    6. 產品應用分類:單端場效應管
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    9. 技術參數詳解:
    10. 東芝半導體公司完整型號:2SK3767(Q,M)
    11. 制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
    12. 描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO-220SIS
    13. 系列:-
    14. FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    15. FET 功能:標準
    16. 漏源極電壓 (Vdss):600V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2A(Ta)
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 1A,10V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):9nC @ 10V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):320pF @ 10V
    22. 功率 - 最大值:25W
    23. 安裝類型:通孔
    24. 封裝/外殼:TO-220-3 整包
    25. 供應商器件封裝:TO-220SIS
    26. 2SK3767(Q,M)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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