深圳市南皇電子有限公司長期提供CSD86350Q5DT（品牌: TI）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：CSD86350Q5DT

技術(shù)標準參數(shù)：25V POWERBLOCK N CH MOSFET

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：CSD86350Q5DT

制造商：Texas Instruments

描述：25V POWERBLOCK N CH MOSFET

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 個 N 通道（半橋）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：25V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：40A（Ta）

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：5 毫歐 @ 25A，5V，1.1 毫歐 @ 25A，5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA，1.6V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10.7nC，25nC @ 4.5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1870pF，4000pF @ 12.5V

功率-最大值：13W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PowerLDFN

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