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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：CSD86336Q3D

技術(shù)標準參數(shù)：25V POWERBLOCK N CH MOSFET

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：CSD86336Q3D

制造商：Texas Instruments

描述：25V POWERBLOCK N CH MOSFET

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：NexFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 個 N 通道（半橋）

FET功能：邏輯電平柵極，5V 驅(qū)動

漏源電壓（Vdss）：25V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：20A（Ta）

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：9.1 毫歐 @ 20A，5V，3.4 毫歐 @ 20A，5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA，1.6V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V

功率-最大值：6W

工作溫度：-55°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PowerTDFN

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