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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：BQ4010YMA-200

技術(shù)標準參數(shù)：IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

產(chǎn)品應(yīng)用分類：存儲器

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：BQ4010YMA-200

制造商：Texas Instruments

描述：IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

產(chǎn)品系列：存儲器

包裝：管件

系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

存儲器類型：非易失

存儲器格式：NVSRAM

技術(shù)：NVSRAM（非易失性 SRAM）

存儲容量：64Kb（8K x 8）

存儲器接口：并聯(lián)

時鐘頻率：-

寫周期時間-字，頁：200ns

訪問時間：200ns

電壓-供電：4.5V ~ 5.5V

工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）

安裝類型：通孔

產(chǎn)品封裝：28-DIP 模塊（0.61，15.49mm）

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