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      圖片信息
      SI8275DBD-IS1R圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:SI8275DBD-IS1R
    4. 原始制造廠商:Silicon Labs
    5. 技術標準參數(shù):4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
    6. 產品應用分類:隔離器 - 柵極驅動器
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產品型號:SI8275DBD-IS1R
    11. 制造商:Silicon Labs
    12. 描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
    13. 系列:隔離器 - 柵極驅動器
    14. 產品系列:Automotive, AEC-Q100
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. 技術:容性耦合
    17. 通道數(shù):2
    18. 電壓-隔離:2500Vrms
    19. 共模瞬變抗擾度(最小值):200kV/μs
    20. 傳播延遲tpLH/tpHL(最大值):75ns,75ns
    21. 脈寬失真(最大):8ns
    22. 上升/下降時間(典型值):10.5ns,13.3ns
    23. 電流-輸出高、低:1.8A,4A
    24. 電流-峰值輸出:4A
    25. 電壓-正向(Vf)(典型值):-
    26. 電流-DC正向(If)(最大值):-
    27. 電壓-?輸出供電:4.2V ~ 30V
    28. 工作溫度:-40°C ~ 125°C
    29. 安裝類型:表面貼裝型
    30. 封裝:16-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
    31. 供應商器件封裝:16-SOIC
    32. SI8275DBD-IS1R均從Silicon Labs代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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