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    3. 電子器件型號:M386ABG40M50-CYF
    4. 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
    5. 技術標準參數:SAMSUNG DRAM NAND
    6. 產品應用分類:模塊
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    9. 技術參數詳解:
    10. 三星模塊型號:M386ABG40M50-CYF
    11. 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
    12. 功能類別:模塊
    13. DDR:四代雙倍數據率同步動態(tài)隨機存儲器
    14. DIMM 類型:LRDIMM
    15. 容量:256GB
    16. 內存區(qū)塊組織:8R x 4
    17. 速率:2933 Mbps
    18. 工作電壓:1.2 V
    19. 組件成分:(4H 3DS 16G x 4) x 36
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