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      圖片信息
      KMQD60013M-B318圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:KMQD60013M-B318
    4. 原始制造廠商:Samsung,三星半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:多制層封裝芯片
    7. 點擊此處下載KMQD60013M-B318的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 三星芯片型號:KMQD60013M-B318
    11. 制造商:SAMSUNG(三星半導(dǎo)體)
    12. 功能類別:多制層封裝芯片
    13. eStorage 密度:32 GB
    14. eStorage 版本:嵌入式多媒體卡 5.1
    15. DRAM 密度:16 Gb
    16. DRAM 類型:三代低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
    17. 封裝:221FBGA
    18. 速率:1866 Mbps
    19. 產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)
    20. KMQD60013M-B318均從三星半導(dǎo)體代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    21. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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