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      圖片信息
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      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:KMFE10012M-B214
    4. 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
    5. 技術標準參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
    6. 產(chǎn)品應用分類:多制層封裝芯片
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 三星芯片型號:KMFE10012M-B214
    11. 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
    12. 功能類別:多制層封裝芯片
    13. eStorage 密度:16 GB
    14. eStorage 版本:嵌入式多媒體卡 5.1
    15. DRAM 密度:8 Gb
    16. DRAM 類型:三代低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
    17. 封裝:221FBGA
    18. 速率:1866 Mbps
    19. 產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)
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