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      圖片信息
      KLUDG8V1EE-B0C1圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號(hào):KLUDG8V1EE-B0C1
    4. 原始制造廠商:Samsung,三星半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:嵌入式存儲(chǔ)器
    7. 點(diǎn)擊此處下載KLUDG8V1EE-B0C1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
    8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 三星芯片型號(hào):KLUDG8V1EE-B0C1
    11. 制造商:SAMSUNG(三星半導(dǎo)體)
    12. 功能類別:嵌入式存儲(chǔ)器
    13. 版本:UFS 2.1
    14. 容量:128GB
    15. 工作電壓:1.8/3.3 V
    16. 接口:G3 2Lane
    17. 封裝尺寸:11.5 x 13 x 1.0 mm
    18. 工作溫度:-25 ~ 85 °C
    19. 產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)
    20. KLUDG8V1EE-B0C1均從三星半導(dǎo)體代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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